COG制造工藝至今已有近十年的發(fā)展歷史，它的發(fā)展與IC的小型化、超薄化以及LCD顯示屏光 刻精度的精細(xì)化是密不可分的，我司生產(chǎn)COG液晶屏也有近6年的時(shí)間了，積累了大量寶貴的經(jīng)驗(yàn)。

 1、COG工藝流程如下所示。 

LCD顯示屏->將ACF邦貼到屏上->將裸芯片從芯片拖盤(pán)中取出->檢查裸芯片的對(duì)位標(biāo)記->檢查L(zhǎng)CD屏上對(duì)位標(biāo)記->芯片與LCD屏對(duì)位->熱壓頭將芯片與LCD屏邦貼到一起->整個(gè)邦貼過(guò)程完成

 2、工藝要點(diǎn)

（1）    邦定IC時(shí)要求IC對(duì)位標(biāo)志與LCD屏上的對(duì)位標(biāo)志吻合；

（2）    需用無(wú)塵布沾溶劑清除液晶屏上壓著區(qū)的異物，使用UV燈清除液晶屏上壓著區(qū)的有機(jī) 物；

（3）    ACF貼附精度為+100μM；

（4）    要注意ACF的儲(chǔ)存條件和控制好ACF邦定的時(shí)間、熱壓溫度和壓頭的壓力。ACF反應(yīng)率要求達(dá)到80%以上。例如使用日立（HITACHI）公司的AC-8304Y的ACF，其保存條件為：在室溫約25℃和濕度70%RH情況下，有效期1個(gè)月；在溫度-10℃~5℃時(shí)有效期為6個(gè)月。ACF使用工藝條件：貼ACF溫度100±10℃（ACF的實(shí)際溫度），壓強(qiáng)約1Mpa，時(shí)間1~5秒，主壓壓強(qiáng)約50~150Mpa（指每個(gè)IC BUMP上的壓強(qiáng)，根據(jù)ACF中導(dǎo)電球的受壓效果決定壓力的大?。CF溫度220±20℃（ACF的實(shí)際溫度），時(shí)間7~10秒。所有ＡＣＦ從冰箱中取出后需在室溫條件下 放置１小時(shí)后方可打開(kāi)包裝；

（5）    必須確保前工序光刻工藝的成品率，嚴(yán)格控制斷筆和連筆（主要在IC接口處）；

（6）    LCD屏需經(jīng)嚴(yán)格測(cè)試，防止廢品漏測(cè)，造成材料浪費(fèi)及品質(zhì)不良；

（7）    顯微鏡下全檢防止斷筆流出，要求IC電極上的導(dǎo)電粒子壓痕至少5個(gè),相鄰BUMP之間 不能互相接觸；

（8）    COG成品必須100%檢測(cè)；

（9）    COG-LCD產(chǎn)品一般多為高密度產(chǎn)品，制造時(shí)要求光刻段的分辨率較高，PI定向膜與摩擦均勻性較好，在線(xiàn)間隙小于15μM時(shí)要求增加TOP（涂覆絕緣層）工藝，以避免短斷路、顯示 不均、串?dāng)_和功耗電流大等現(xiàn)象的出現(xiàn)；

（10）    COG常見(jiàn)不良品包括：IC異物、IC壓痕不良、ACF貼附不良、IC對(duì)位偏移、IC厚度 不均、IC電遇不良、IC破裂/刮傷、IC BUMP不良等。

3、光刻精度

光刻精度是指制作LCD顯示屏?xí)r能夠刻蝕出來(lái)的線(xiàn)條和間隙的精細(xì)尺寸，COG產(chǎn)品多為高密度產(chǎn)品，LCD與IC 連接處走線(xiàn)較密。COG產(chǎn)品引線(xiàn)的PITCH(線(xiàn)寬加線(xiàn)間距)值一般在 50μM以下，IC接口線(xiàn)一般在 40μM以下。目前國(guó)內(nèi)已有部分廠(chǎng)家其COG產(chǎn)品的PITCH值控制在 20μM,這意 味著其引線(xiàn)或線(xiàn)間隙的加工精度已達(dá)到10μM左右。

4、材料要求

透明導(dǎo)電玻璃(即在平整度好、透光率高、曲翹度很小的玻璃表面鍍上透明導(dǎo)電膜)要求阻值較低，方塊電阻一般在30Ω以?xún)?nèi)，PI（聚酰亞胺、定向材料）、液晶等材料要求純度較高，即電阻率 大。 ACF（Anisotropic Conductive Film）是一種各向異性導(dǎo)電膜，在垂直方向?qū)щ?，而在水平方?絕緣。主要組成是粘著劑和導(dǎo)電粒子。

5、潔凈度要求

COG產(chǎn)品生產(chǎn)工藝要求1000級(jí)的潔凈度,即潔凈室里>=0.5微米的粒子濃度<=1000粒/升。